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  • 硒化铋晶体(百分之99.995)Bi2Se3

    硒化铋晶体 Bi2Se3(Bismuth Selenide) 晶体尺寸:10毫米 电学性能:拓扑绝缘体 晶体结构:菱面体 晶胞参数:a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2018-07-10
  • 硒化镓晶体(百分之99.995)2H-GaSe

    硒化镓晶体 2H-GaSe(Gallium Selenide) 晶体尺寸:10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2018-07-10
  • 硒化锗晶体(百分之99.995)GeSe

    硒化锗晶体 GeSe (Germanium Selenide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:斜方晶系 晶胞参数:a = 0.383 nm, b = 0.440 nm, c = 1.078 nm, α = β = γ = 90° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2018-07-10
  • 二硒化铪晶体(百分之99.995)HfSe2

    二硒化铪晶体 HfSe2(Hafnium Selenide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.3745 nm, c = 0.6160 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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    产品价格:面议
    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2018-07-10
  • 硒化铟晶体(百分之99.995) In2Se3

    硒化铟晶体 In2Se3(Indium Selenide) 晶体尺寸:8-10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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    厂商性质:生产厂家
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  • 二硒化钼晶体(百分之99.995)2H-MoSe2-P型

    二硒化钼晶体 2H-MoSe2(Molybdenum Diselenide)-P型 晶体尺寸:~10毫米 电学特性:P型半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:99.995%

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