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硒化锗晶体(百分之99.995)GeSe

简要描述:硒化锗晶体 GeSe (Germanium Selenide)
晶体尺寸:~10毫米
电学性能:半导体
晶体结构:斜方晶系
晶胞参数:a = 0.383 nm, b = 0.440 nm, c = 1.078 nm, α = β = γ = 90°
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%

  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2024-06-04
  • 访  问  量:1531

详细介绍

硒化锗晶体 GeSe (Germanium Selenide)
晶体尺寸:~10毫米
电学性能:半导体
晶体结构:斜方晶系
晶胞参数:a = 0.383 nm, b = 0.440 nm, c = 1.078 nm, α = β = γ = 90°
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%

X-ray diffraction on a GeSe single crystal aligned along the (100) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (h00) with h = 2, 4, 6, 8

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GeSe. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal GeSe by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

 

Raman spectrum of a single crystal GeSe. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

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