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  • 硫化镓晶体(百分之99.995) GaS

    硫化镓晶体 GaS(Gallium Sulfide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = 0.360, b = 0.640 nm, c = 1.544 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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    产品价格:面议
    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2018-07-09
  • 硫化锗晶体(百分之99.995) GeS

    硫化锗晶体 GeS(Germanium Sulfide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:斜方晶系 晶胞参数:a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2018-07-09
  • 二硫化铪晶体(百分之99.995) HfS2

    二硫化铪晶体 HfS2 (Hafnium Disulfide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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    产品价格:面议
    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2018-07-09
  • 二硫化钼晶体(天然/百分之99)MoS2

    二硫化钼晶体(天然) MoS2(Molybdenum Disulfide) 晶体结构:六边形 类型:天然晶体 尺寸:~10mm-20mm 纯度:99% 属性:半导体

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    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2018-07-09
  • 二硫化钼晶体MoS2-syn-N type

    二硫化钼晶体(2H-合成/99.995%/n 型) MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:N型半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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    产品价格:面议
    厂商性质:生产厂家
    更新日期:2018-07-09
  • 二硫化钼晶体MoS2-syn

    二硫化钼晶体(2H-合成/99.995%/p 型) MoS2(Molybdenum Disulfide)-syn 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:P型半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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    更新日期:2018-07-09
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