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硒化铋晶体(百分之99.995)Bi2Se3

简要描述:硒化铋晶体 Bi2Se3(Bismuth Selenide)
晶体尺寸:10毫米
电学性能:拓扑绝缘体
晶体结构:菱面体
晶胞参数:a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%

  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2018-07-10
  • 访  问  量:289

详细介绍

硒化铋晶体 Bi2Se3(Bismuth Selenide)
晶体尺寸:10毫米
电学性能:拓扑绝缘体
晶体结构:菱面体
晶胞参数:a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%

 

X-ray diffraction on a Bi2Se3 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 6 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 6, 9, 12, 15, 18, 21, 24 

 

XRD of a single crystal Bi2Se3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

EDX of a single crystal Bi2Se3.

 

 

Raman of a single crystal Bi2Se3. Measurement with a 785nm Raman at room temperature.

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