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大尺寸二硫化钼晶体（天然/99.9%） MoS2（Molybdenum Disulfide） 晶体尺寸：~10毫米- 15毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.315 nm, c = 1.229 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.9%
二硫化钨钼晶体 MoWS2（Molybdenum Tungsten Disulfide alloy） 晶体尺寸：~6毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ =120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硫化铌晶体 3R-NbS2（Niobium Disulfide） 晶体尺寸：4毫米 电学性能：金属 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.330 nm, c = 1.792 nm, α = β = 90, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硫化铅锡晶体 PbSnS2（Lead Tin Disulfide） 晶体结构：六边形 类型：天然晶体 尺寸：~8mm 纯度：99.995% 属性：半导体
二硫化铼晶体 ReS2 （Rhenium Disulfide） 晶体结构：三斜晶晶体尺寸：~8毫米 电学性能：N型半导体 晶体结构：三斜晶系 晶胞参数：a = 0.634, b = 0.640 nm, c = 0.645 nm, α = 106.74°, β = 119.03°, γ = 89.97° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
二硫化锡晶体 2H-SnS2（Tin Sulfide） 晶体尺寸：~8毫米 电学性能：半导体（~ 2.2ev） 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.364, c = 0.589 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%
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