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黑砷磷晶体黑磷-砷合金

简要描述：黑砷磷/晶体黑磷-砷合金 BP-As alloy （Black Phosphorus-Arsenic Alloy）
晶体尺寸：~mm
电学性能：半导体
晶体结构：斜方晶系
晶胞参数：晶胞参数取决于合金中的成分。p/As比值为1
a = b = 0.338 nm, b = 10.743 nm, c = 0.446 nm, α = β = γ = 90°
晶体类型：合成
晶体纯度：>99.995%

  • 产品型号：HQBP-As
  • 厂商性质：生产厂家
  • 更新时间：2018-07-04
  • 访  问  量：1674
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黑砷磷/晶体黑磷-砷合金 BP-As alloy (Black Phosphorus-Arsenic Alloy)
晶体尺寸：~mm
电学性能：半导体
晶体结构：斜方晶系
晶胞参数：晶胞参数取决于合金中的成分。p/As比值为1
a = b = 0.338 nm, b = 10.743 nm, c = 0.446 nm, α = β = γ = 90°
晶体类型：合成
晶体纯度：>99.995%

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal P-As. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal P-As by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

 

Raman spectrum of a single crystal P-As. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

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