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黑砷磷晶体黑磷-砷合金

简要描述:黑砷磷/晶体黑磷-砷合金 BP-As alloy (Black Phosphorus-Arsenic Alloy)
晶体尺寸:~mm
电学性能:半导体
晶体结构:斜方晶系
晶胞参数:晶胞参数取决于合金中的成分。p/As比值为1
a = b = 0.338 nm, b = 10.743 nm, c = 0.446 nm, α = β = γ = 90°
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%

  • 产品型号:HQBP-As
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2018-07-04
  • 访  问  量:192

详细介绍

黑砷磷/晶体黑磷-砷合金 BP-As alloy (Black Phosphorus-Arsenic Alloy)
晶体尺寸:~mm
电学性能:半导体
晶体结构:斜方晶系
晶胞参数:晶胞参数取决于合金中的成分。p/As比值为1
a = b = 0.338 nm, b = 10.743 nm, c = 0.446 nm, α = β = γ = 90°
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal P-As. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal P-As by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

 

Raman spectrum of a single crystal P-As. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

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