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碲化砷 As2Te3 (Arsenicum Telluride)

简要描述:晶体尺寸:10毫米
电学性能:半导体,拓扑绝缘体,热电材料
晶体结构:单斜晶结构
晶胞参数:a = 1.430nm,B = 0.403nm,C = 0.986nm,α=γ= 90°,β= 95.40
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%
表征方法:XRD、拉曼、EDX

  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2018-08-14
  • 访  问  量:196

详细介绍

晶体尺寸:10毫米
电学性能:半导体,拓扑绝缘体,热电材料
晶体结构:单斜晶结构
晶胞参数:a = 1.430nm,B = 0.403nm,C = 0.986nm,α=γ= 90°,β= 95.40
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%
表征方法:XRD、拉曼、EDX
 

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal As2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal As2Te3 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

 

Raman spectrum of a single crystal As2Te3. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

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