产品名称：4英寸二氧化硅抛光硅片 （SiO2） 生长方式：直拉单晶（CZ） 热氧化工艺 直径与公差：100±0.4mm 掺杂类型：N型（掺磷、砷、锑） P型（掺硼） 晶向：111\\100 电阻率：0.001-50（Ω•cm） 可按客户要求定制

本产品为表面镀有石墨烯薄膜的单晶铜线，石墨烯*的性质可以增强铜线本身的导电性，支持定制。

An ideal substrate – template for two-dimensional （2D） materials to eliminate ripple, surface roughness, and doping （charge transfer） effects.

A member of layered mica family but the exact chemical formula has been adjusted in such a way that resulting materials are K, Mg, and Fe