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IC半导体级 SIO2

简要描述:产品名称:4英寸二氧化硅抛光硅片 (SiO2)
生长方式:直拉单晶(CZ) 热氧化工艺
直径与公差:100±0.4mm
掺杂类型:N型(掺磷、砷、锑) P型(掺硼)
晶向:<111><100>
电阻率:0.001-50(Ω•cm) 可按客户要求定制

  • 产品型号:SUNANO
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2018-07-11
  • 访  问  量:329

详细介绍

低维材料在线商城可为客户订制不同参数的二氧化硅氧化片,质量优良;氧化层厚度、致密性、均匀性和电阻率晶向等参数均按照国标执行。
热氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下,给过程称为热氧化。通常生长热氧化层的在水平管式炉中。温度范围控制在900到1200摄氏度,使用湿法或者干法的生长方法。热氧化物是一种生长的氧化物层。相对于CVD法沉积的氧化物层,它具有较高的均匀性和更高的介电强度。这是一个极好的作为绝缘体的介电层。大多数硅为基础的设备中,热氧化层都扮演着非常重要的角色,以安抚硅片表面。作为掺杂障碍和表面电介质。
应用范围:
1,刻蚀率测定
2,金属打线测试
3,金属晶圆
4,电性绝缘层

产品名称:4英寸二氧化硅抛光硅片 (SiO2)
生长方式:直拉单晶(CZ)  热氧化工艺
直径与公差:100±0.4mm
掺杂类型:N型(掺磷、砷、锑) P型(掺硼)
晶向:<111><100>
电阻率:0.001-50(Ω•cm) 可按客户要求定制
工艺数据:平整度TIR:<3μm 、 翘曲度TTV: <10μm 、弯曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、颗粒度< 10 (for size > 0.3μm)
现有规格:50nm 100nm 200nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm
用途介绍:用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体
 

 

类型1英寸2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸8英寸
单面抛光片1英寸2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸8英寸
双面抛光片可定制2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸8英寸
二氧化硅片(SiO2)不可定制2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸可定制
切割片、研磨片可定制2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸不可定制

区熔本征高阻

不掺杂硅片

可定制2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸不可定制
单晶硅棒1英寸2英寸3英寸4英寸5英寸6英寸不可定制

注:本商城提供多系列多规格的硅片,标价仅为一种规格,如需多种规格请与客服。

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