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工业级石墨烯 Industrial-Quality Graphene 制备方法：热剥离还原 厚度（nm）：≤3 BET比表面积（平方米/克）：~ 600 电阻率（Ω∙cm）：0.30
羧基化石墨烯 Carboxyl Graphene 直径：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 羧基比例：5% 纯度：99%
单层氧化石墨烯（H法/进口） Single Layer Graphene Oxide （H Method） 制备方法：改良的H法 直径：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 单层比：99% 纯度：99% 堆积密度：0.44g/cm3 体积密度：为0.26g/cm3
氧化石墨烯（S法/进口） Graphene Oxide （S Method） 制备方法：斯托登梅尔方法 外观为灰绿色粉末 直径：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面积（SSA）5-10平方米/克 单层比：＞90% 氧含量:~35 wt%
氧化石墨烯（S法/进口） Graphene Oxide （S Method） 制备方法：斯托登梅尔方法 外观为灰绿色粉末 直径：1~5um 厚度：0.8~1.2nm 比表面积（SSA）5-10平方米/克
Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D facilities using modified reaction Hummer technique.
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