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等离子体改性及刻蚀机理是怎样的?

发布时间:2022-11-10      点击次数:76
  等离子体改性及刻蚀结合了电感耦合和电容耦合辉光放电的优点,可在宽密度工艺范围(109-1013cm-3)实现稳定的等离子体辅助CVD,具有优良的材料处理性能和广泛的应用范围,是目前功能强大的等离子体CVD系统。
  
  原创性高密度低频平板式电感耦合等离子体系统。频率可调节,从低频0.5-4MHz范围内调节;电感天线是平板式,可根据客户要求改变天线的形状、大小,从而实现两种不同的放电模式:电感放电和电容放电,两种模式下都能实现稳定放电,两种模式的等离子体特性截然不同,可以实现不同的功能。
 
  

等离子体改性及刻蚀
 

 

  等离子体改性及刻蚀机理的解释适用于所有类型的等离子体技术,不局限于RIE。通常,等离子体刻蚀是化学刻蚀,不是物理刻蚀,这意味着固体原子与气体原子反应形成化学分子,然后从基片表面移除形成刻蚀。因为VDC的存在,通常存在一定的基片溅射,对于大量的刻蚀,物理刻蚀效应很弱可以被忽略。
  
  几个主要的刻蚀过程为:
  
  1、形成反应粒子;
  
  2、反应粒子到达Wafer表面并被吸附
  
  3、Wafer表面化学吸附反应,形成化学键,并形成反应产物;
  
  4、解吸附化学反应产物,并在Wafer表面移除,抽离腔室。
  
  等离子体改性及刻蚀速率,因为电子密度和能量与VDC相关联,故以上的化学反应过程与速率相对应;离子轰击可以造成Wafer表面的建设损伤;而离子轰击的能量与VDC相关,VDC越高轰击越强;离子轰击还会对刻蚀形貌有一定的影响等等对于非易挥发性副产物,通过一定的离子轰击可以将副产物解离形成易挥发性产物,使本身在易在Wafer表面已形成的膜层消失。

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