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你真的了解等离子体改性及刻蚀技术吗?

发布时间:2022-06-24      点击次数:484
  等离子体改性及刻蚀可分为两个过程:首先,在等离子体中产生化学活性成分;其次,这些活性成分与固体材料发生反应,形成挥发性化合物,从表面扩散开来。例如,CF4离解产生的f与s反应生成SiF4气体,导致在含Si材料表面形成微铣削结构。等离子刻蚀是一个总称,包括离子刻蚀、溅射刻蚀和等离子灰化。
  
  基材和工艺参数决定了表面改性的类型,基材温度、处理时间和材料扩散特性决定了改性的深度。等离子只能在表面蚀刻几微米,改性材料的表面性能发生了变化,但仍能保持材料的大部分性能。该技术还可用于表面清洗、定线、粗化、改变亲水性和附着力等,还可使电镜下观察的样品变薄,用于半导体集成电路的制造过程。在化学溅射中,会发生反应并产生挥发性产物。常见的气体包括AR、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有机蒸气。与化学反应的等离子溅射相比,惰性离子溅射更像是一个物理过程。
  
  等离子体改性及刻蚀工艺中具有很多优势,比如可以更精确地控制工作尺寸、更高的刻蚀速率和更好的材料选择性。高密度等离子源可以在低压下工作,以减少鞘层振荡。在使用高密度等离子源蚀刻晶圆时,为了使能量和离子通量相互独立,需要使用独立的射频源对晶圆进行偏置。因为典型的离子能量在几个电子伏特量级,离子进入负鞘层后,加速后能量会达到几百个电子伏特,并且具有很高的指向性,从而赋予离子刻蚀的各向异性。
  
  多功能宽密度等离子体改性及刻蚀产品特点:
  
  1、基板台可电动旋转、加热和提升。
  
  2、配备手动高真空闸阀、手动角阀和电脑复合真空计。
  
  3、由于采用超高真空密封技术,极限真空度高,沉积室可进入10-5pa量级,可保证更高的镀层纯度,提高镀层质量。
  
  4、自动监控与保护功能,包括缺水欠压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护等。
  
  5、配备可切换观察窗,方便观察和取样。
  
  6、设备真空系统采用分子泵+机械泵真空机组。
  
  7、采用磁耦合传动密封技术密封运动部件。

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